型号 SI7459DP-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC
SI7459DP-T1-E3 PDF
代理商 SI7459DP-T1-E3
产品目录绘图 DP-T1-(G)E3 Series 8-SOIC
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 6.8 毫欧 @ 22A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 170nC @ 10V
功率 - 最大 1.9W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
供应商设备封装 PowerPAK? SO-8
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1665 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7459DP-T1-E3TR
同类型PDF
SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC
SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC
SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
SI7462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC